Γνωστικό Αντικείμενο (Τίτλος):

Βελτιωμένη Αξιοπιστία και Παρακολούθηση Υγείας ηλεκτρονικών ισχύος στον ενεργειακό τομέα μέσω καινοτομιών στις Τεχνολογίες Ημιαγωγών με ευρύ  και  Υπερ-ευρύ ενεργειακό διάκενο.

Αριθμός θέσεων:

2

Περιγραφή:

Επισκόπηση: Προκήρυξη δύο διδακτορικών θέσεων στο Τεχνολογικό Πανεπιστήμιο Κύπρου, για τη διερεύνηση τρεχουσών και αναδυόμενων τεχνολογιών ημιαγωγών ισχύος με ευρύ ενεργειακό διάκενο (wide bandgap - WBG) και Υπερ-ευρύ (ultrawide bandgap - UWBG) ενεργειακό διάκενο, με έμφαση την Παρακολούθηση Κατάστασης Υγείας των ηλεκτρονικών ισχύος για τον ενεργειακό τομέα. Η έρευνα είναι ευθυγραμμισμένη με το πρόγραμμα FLAGCHIP – Flagship advanced solutions for Condition and Health monitoring In Power electronics, που χρηματοδοτείται στο πλαίσιο του προγράμματος EU Horizon Europe Research and Innovation Action (RIA).

Πλαίσιο έρευνας: Οι πρόσφατες εξελίξεις στην τεχνολογία MOSFET καρβιδίου του πυριτίου (SiC) έχουν καταστήσει τα SiC MOSFET εμπορικά βιώσιμα για εφαρμογές χαμηλής τάσης (π.χ. 600V έως 1200V) όπως ηλεκτρικά αυτοκίνητα, τροφοδοτικά και μετατροπείς. Πιο πρόσφατα, τα SiC MOSFET κατηγορίας 3,3 kV έχουν εισέλθει στην αγορά, στοχεύοντας σε εφαρμογές υψηλότερης τάσης όπως οι σιδηροδρομικές μεταφορές και οι ηλεκτροκινητήρες μέσης τάσης. Ωστόσο, για εφαρμογές συνεχούς ρεύματος υψηλής τάσης (HVDC) και συνεχούς ρεύματος μέσης τάσης (MVDC), η τρέχουσα τεχνολογία απαιτεί τις συνδέσεις πολλαπλών MOSFET SiC χαμηλής τάσης, οδηγώντας σε αυξημένη πολυπλοκότητα και κόστος του συστήματος. Επιπλέον, η παρακολούθηση της υγείας τέτοιων ηλεκτρονικών συστημάτων ισχύος παραμένει μια πρόκληση.

Στόχοι: Το έργο στοχεύει στην κατανόηση της γήρανσης των SiC-MOSFET και την σχεδίαση SiC-MOSFET ονομαστικής τάσης πάνω από αυτή που είναι διαθέσιμη στο εμπόριο (π.χ. 6,5 kV και άνω) με αυξημένη αξιοπιστία και απόδοση. Επίσης, το έργο θα διερευνήσει τεχνολογίες UWBG όπως Ga2O3 για να θέσει τα θεμέλια της μελλοντικής ανάπτυξης τεχνολογίας στοιχείων ημιαγωγών ισχύος. Επιπλέον, το έργο στοχεύει να βελτιώσει την κατανόησή μας για την γήρανση και τη φυσική της αστοχίας σε ηλεκτρονικά συστήματα ισχύος SiC MOSFET, για την ανάπτυξη καινοτόμων μεθοδολογιών παρακολούθησης της κατάστασης και της υγείας.

Χρηματοδότηση:

Υπάρχει δυνατότητα χρηματοδότησης μέσω ερευνητικού προγράμματος Horizon Europe FLAGCHIP – Flagship advanced solutions for Condition and Health monitoring In Power electronics, που χρηματοδοτείται στο πλαίσιο του προγράμματος EU Horizon Europe Research and Innovation Action (RIA).

Απαιτούμενα Προσόντα:

Πτυχίο και μεταπτυχιακό επιπέδου μάστερ στην Ηλεκτρολογική Μηχανική ή Φυσική ή σε συναφές γνωστικό αντικείμενο.

Ερευνητικός Σύμβουλος:

Ονοματεπώνυμο:

Νεόφυτος Λοφίτης

Βαθμίδα:

Επίκουρος Καθηγητής

Email:

n.lophitis@cantab.net